品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
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库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
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输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
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分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.67W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@15V
连续漏极电流:3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
工作温度:-55℃~175℃
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:180pF@20V
连续漏极电流:3A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMV60ENEAR
包装方式:卷带(TR)
导通电阻:75mΩ@3A,10V
漏源电压:40V
功率:615mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
连续漏极电流:3A
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:5nC@10V
ECCN:EAR99
输入电容:180pF@20V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3987EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
输入电容:570pF@15V
功率:1.67W
包装方式:卷带(TR)
类型:2个P沟道(双)
漏源电压:30V
导通电阻:133mΩ@1.5A,10V
阈值电压:2.5V@250µA
连续漏极电流:3A
包装清单:商品主体 * 1
库存: