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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5117PLT4G-VF01
工作温度：-55℃~175℃
功率：4.1W€118W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：85nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4800pF@25V
连续漏极电流：11A€61A
类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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ECCN：EAR99
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行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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类型：P沟道
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分类：Mosfet场效应管
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类型：P沟道
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类型：P沟道
导通电阻：16mΩ@29A，10V
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漏源电压：60V
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连续漏极电流：11A€61A
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导通电阻：16mΩ@29A，10V
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