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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：6000，"18+"：6000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.8A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMPB50ENEX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：10nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：271pF@15V
连续漏极电流：6.9A
类型：N沟道
导通电阻：43mΩ@5.1A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ2303ES-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.9W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：6.8nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：210pF@25V
连续漏极电流：2.5A
类型：P沟道
导通电阻：170mΩ@1.7A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
