品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@15V
连续漏极电流:6.4A
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:40V
阈值电压:2.5V@250µA
类型:N沟道
工作温度:-55℃~175℃
连续漏极电流:5.4A
功率:667mW€7.5W
输入电容:440pF@20V
栅极电荷:11.7nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN25ENEAX
包装方式:卷带(TR)
漏源电压:30V
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:14nC@10V
类型:N沟道
导通电阻:24mΩ@6.4A,10V
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
连续漏极电流:6.4A
ECCN:EAR99
输入电容:440pF@15V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PMN30ENEAX
工作温度:-55℃~175℃
功率:667mW€7.5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:11.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:5.4A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@5.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: