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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
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栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：6500，"MI+"：9210}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8778
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：18nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：845pF@13V
连续漏极电流：35A
类型：N沟道
导通电阻：14mΩ@35A，10V
漏源电压：25V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460EN-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS460ENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：39W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：755pF@25V
连续漏极电流：8A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@5.3A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
