品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4497pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€45A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LSDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€1.9W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:7.6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A€33.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8028LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€65W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@25V
连续漏极电流:41.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:10.6A€37.1A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFG-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH8028LPSWQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€65W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@25V
连续漏极电流:41.7A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@5A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LFVWQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.17W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:939pF@30V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:16mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:10mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.7W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:14A€45A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€83W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2693pF@30V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFG-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH6016LPDQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€37.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:864pF@30V
连续漏极电流:9.2A€33.2A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:49nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3367pF@20V
连续漏极电流:22A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: