品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC015N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:33A€206A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC015N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:33A€206A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC015N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:33A€206A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC015N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:33A€206A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":1195}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:19A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF640NSTRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:150mΩ@11A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC015N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:33A€206A
类型:N沟道
导通电阻:1.5mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SK3-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.1W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4004pF@20V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):FDB8896
工作温度:-55℃~175℃
功率:80W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2525pF@15V
连续漏极电流:19A€93A
类型:N沟道
导通电阻:5.7mΩ@35A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC017N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€115W
阈值电压:3.4V@60µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4800pF@20V
连续漏极电流:31A€193A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFZ44STRLPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€150W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:67nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:28mΩ@31A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: