品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS840CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:33W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.5nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1031pF@20V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:20mΩ@7.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P04-13L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3590pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@17A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27.8W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:615pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:25mΩ@1.25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ423EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4500pF@25V
连续漏极电流:55A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ443EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2030pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:29mΩ@18A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMTH43M8LFGQ-7
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.62W€65.2W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40.1nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2798pF@20V
连续漏极电流:24A€100A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:731nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62190pF@25V
连续漏极电流:390A
类型:P沟道
导通电阻:2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484EN-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1855pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@16.4A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ409EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:11000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:P沟道
导通电阻:7mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13500pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:7.3mΩ@7A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD40151EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:112nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5340pF@20V
连续漏极电流:42A
类型:P沟道
导通电阻:12mΩ@17.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ141EL-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:600W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:731nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:62190pF@25V
连续漏极电流:390A
类型:P沟道
导通电阻:2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ244EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:27W€48W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1200pF@25V€2800pF@25V
连续漏极电流:20A€60A
类型:2N沟道(双)非对称型
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:强茂
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PJQ4448P-AU_R2_000A1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.4W€42W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1040pF@20V
连续漏极电流:10A€42A
类型:N沟道
导通电阻:11mΩ@8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4015SSS-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:91nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4234pF@20V
连续漏极电流:11.4A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4401EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.14W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:115nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4250pF@20V
连续漏极电流:17.3A
类型:P沟道
导通电阻:14mΩ@10.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJQ402E-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:260nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:13500pF@20V
连续漏极电流:200A
类型:N沟道
导通电阻:1.7mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ444EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:80nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5000pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.5nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:975pF@20V
连续漏极电流:6.9A
类型:P沟道
导通电阻:61mΩ@2.5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3418EV-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12.7nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:678pF@20V
连续漏极电流:8A
类型:N沟道
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMTS0D7N04CLTXG
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€205W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:205nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:12238pF@25V
连续漏极电流:67A€433A
类型:N沟道
导通电阻:0.63mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS484CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2350pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4011SK3Q-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€115W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:104nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4497pF@20V
连续漏极电流:79A
类型:P沟道
导通电阻:11mΩ@9.8A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2500pF@20V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IRL7472L1TRPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€341W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:330nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:20082pF@25V
连续漏极电流:375A
类型:N沟道
导通电阻:0.59mΩ@195A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4184EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:7.1W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5400pF@20V
连续漏极电流:29A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: