品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1890}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTYS010N04CLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€32W
阈值电压:2.2V@20µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:710pF@25V
连续漏极电流:13A€43A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40YS,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:702pF@20V
连续漏极电流:46A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@5A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK6D30-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:2W€19W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:440pF@20V
连续漏极电流:6A€18A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@6A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ2389ES-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@20V
连续漏极电流:4.1A
类型:P沟道
导通电阻:94mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5C471NLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@20µA
栅极电荷:12nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:660pF@25V
连续漏极电流:41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: