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    包装方式: 卷带(TR)
    漏源电压: 40V
    栅极电荷: 23nC@10V
    当前匹配商品:200+
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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04CR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04CR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1443pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订1114个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19894,"23+":2598795,"24+":365085,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C450NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€68W

    阈值电压:3.5V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:24A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S5L5R5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@13µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1209pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G 起订812个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFT1G 起订812个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":145500,"23+":195000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C450NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€68W

    阈值电压:3.5V@65µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:24A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS003N04CTAG 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS003N04CTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€69W

    阈值电压:3.5V@60µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:22A€103A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订5000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订5000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":19894,"23+":2598795,"24+":365085,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLAFT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLAFT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C460NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@20V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C460NLWFAFT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C460NLWFAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:21A€78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TSM110NB04LCR RLG 起订100个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TSM110NB04LCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W€68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1269pF@20V

    连续漏极电流:12A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@12A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ848EP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ848EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2500pF@20V

    连续漏极电流:47A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.5mΩ@10.3A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订10个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPZ40N04S55R4ATMA1 起订10个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPZ40N04S55R4ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:3.4V@17µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@25V

    连续漏极电流:40A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G 起订750个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C460NLT1G 起订750个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C460NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€50W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1300pF@20V

    连续漏极电流:78A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPC50N04S5L5R5ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPC50N04S5L5R5ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:42W

    阈值电压:2V@13µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1209pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C450NAFT1G 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C450NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.6W€68W

    阈值电压:3.5V@65µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1600pF@25V

    连续漏极电流:24A€102A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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