品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4795,"9999":386}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK664R6-40C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:16.5A€116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB5405NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€150W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4000pF@32V
连续漏极电流:16.5A€116A
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
生产批次:{"20+":14400}
包装规格(MPQ):800psc
规格型号(MPN):NTB5405NT4G
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€150W
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
阈值电压:3.5V@250µA
输入电容:4000pF@32V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
连续漏极电流:116A
ECCN:EAR99
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVB5405NT4G
包装方式:卷带(TR)
功率:3W€150W
漏源电压:40V
类型:N沟道
导通电阻:5.8mΩ@40A,10V
连续漏极电流:16.5A€116A
阈值电压:3.5V@250µA
输入电容:4000pF@32V
工作温度:-55℃~175℃
栅极电荷:88nC@10V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4795,"9999":386}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK664R6-40C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":4795,"9999":386}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK664R6-40C,118
工作温度:-55℃~175℃
功率:158W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5200pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:4.6mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: