品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
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输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
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栅极电荷:32nC@10V
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连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
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输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C442NAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVD5C454NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€56W
阈值电压:4V@70µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:19A€82A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@40A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1917,"MI+":2792}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€83W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A€138A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":3684}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1917,"MI+":2792}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMYS2D4N04CTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.9W€83W
阈值电压:3.5V@90µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:30A€138A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.7W€83W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2100pF@25V
连续漏极电流:29A€140A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD75N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:5.9mΩ@75A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB70N04S406ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:58W
阈值电压:4V@26µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@25V
连续漏极电流:70A
类型:N沟道
导通电阻:6.2mΩ@70A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: