品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185L
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE013N04LM6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€107W
阈值电压:2V@51µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:31A€205A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):ISC019N04NM5ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€100W
阈值电压:3.4V@50µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:29A€170A
类型:N沟道
导通电阻:1.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€107W
阈值电压:2V@51µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:31A€205A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€107W
阈值电压:2V@51µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:31A€205A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ142ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:190W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3015pF@25V
连续漏极电流:175A
类型:N沟道
导通电阻:2.8mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ868EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:7.35mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ860EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2700pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M3R3-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:101W
阈值电压:2.15V@1mA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3766pF@25V
连续漏极电流:80A
类型:N沟道
导通电阻:3.3mΩ@25A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPC100N04S5L2R6ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:2V@30µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2925pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:2.6mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD4185
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€62.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2550pF@20V
连续漏极电流:40A
类型:P沟道
导通电阻:15mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IQE013N04LM6CGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W€107W
阈值电压:2V@51µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@20V
连续漏极电流:31A€205A
类型:N沟道
导通电阻:1.35mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ858AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2450pF@20V
连续漏极电流:58A
类型:N沟道
导通电阻:6.3mΩ@14A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: