采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD90N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@90A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：250，"22+"：2000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80N04S404ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：4V@35µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3440pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STL210N4F7AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3600pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：N沟道
导通电阻：1.6mΩ@16A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD9410L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1960pF@20V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：4.2mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN4R3-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：90W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3007pF@20V
连续漏极电流：95A
类型：N沟道
导通电阻：4.3mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVD5C454NLT4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€56W
阈值电压：2.2V@70µA
栅极电荷：43nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2600pF@25V
连续漏极电流：20A€84A
类型：N沟道
导通电阻：3.9mΩ@40A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
