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    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€65W

    阈值电压:4V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 AUIRFN8459TR 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):AUIRFN8459TR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:50W

    阈值电压:3.9V@50µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2250pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.9mΩ@40A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08AATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS944ENW-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS944ENW-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27.8W

    阈值电压:2.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:615pF@25V

    连续漏极电流:6A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:25mΩ@1.25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@25V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C462NT1G 起订1500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C462NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€50W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1020pF@25V

    连续漏极电流:17.6A€70A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.4mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装
    ST Mosfet场效应管 STL15DN4F5 起订2个装

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STL15DN4F5

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:60W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1550pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:9mΩ@7.5A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L08ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L08ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2.2V@22µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3050pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N04LDATMA1 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC072N04LDATMA1 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC072N04LDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3990pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.2mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7K8R7-40EX 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7K8R7-40EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:53W

    阈值电压:4V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1439pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:8.5mΩ@15A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NLT1G 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NLT1G 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NLT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.5W

    阈值电压:2.2V@90µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3170pF@25V

    连续漏极电流:25A€145A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.65mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9K18-40E,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9K18-40E,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:38W

    阈值电压:2.1V@1mA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1061pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:16mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912DEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912DEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.3mΩ@7A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ904E-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ904E-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ904E-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:3.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5900pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:3.4mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S4L18AATMA1 起订940个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":817,"23+":14388,"24+":18556}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S4L18AATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:26W

    阈值电压:2.2V@8µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1071pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:18mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408ATMA1 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPG20N04S408ATMA1 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPG20N04S408ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2940pF@25V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH45M5SPDWQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH45M5SPDWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W€60W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1083pF@20V

    连续漏极电流:79A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:5.5mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLWFT1G 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C466NLWFT1G 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C466NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€40W

    阈值电压:2.2V@30µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:997pF@25V

    连续漏极电流:14A€52A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订588个装
    INFINEON Mosfet场效应管 BSC076N04NDATMA1 起订588个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":4902}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BSC076N04NDATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.3W€65W

    阈值电压:4V@30µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2950pF@20V

    连续漏极电流:20A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:7.6mΩ@17A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ912BEP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ912BEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3000pF@25V

    连续漏极电流:30A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:11mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5C446NWFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5C446NWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€89W

    阈值电压:3.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2450pF@25V

    连续漏极电流:24A€127A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:2.9mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

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