采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-40MSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@20V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ463EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-40MSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@20V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：2500，"MI+"：4940}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-40MSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@20V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-40MSHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.6V@1mA
栅极电荷：29nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2010pF@20V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ463EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ463EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：150nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5875pF@20V
连续漏极电流：30A
类型：P沟道
导通电阻：10mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IRF40R207
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.9V@50µA
栅极电荷：68nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2110pF@25V
连续漏极电流：56A
类型：N沟道
导通电阻：5.1mΩ@55A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ412EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5950pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PSMN5R0-40MLHX
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.15V@1mA
栅极电荷：39nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2649pF@20V
连续漏极电流：85A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ422EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：100nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4660pF@20V
连续漏极电流：74A
类型：N沟道
导通电阻：3.4mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ412EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：120nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5950pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：N沟道
导通电阻：4.1mΩ@10.3A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ443EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：57nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2030pF@20V
连续漏极电流：40A
类型：P沟道
导通电阻：29mΩ@18A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD4685-F085P
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：27nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2380pF@20V
连续漏极电流：32A
类型：P沟道
导通电阻：27mΩ@8.4A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
