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品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
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功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
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功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
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功率：214W
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ECCN：EAR99
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包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
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功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：145nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：9600pF@25V
连续漏极电流：160A
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
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库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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栅极电荷：107nC@10V
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连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"19+"：790，"24+"：8000}
规格型号(MPN)：IPB100N04S303ATMA1
包装方式：卷带（TR）
功率：214W
漏源电压：40V
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
连续漏极电流：100A
输入电容：9600pF@25V
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"20+"：377，"21+"：492}
规格型号(MPN)：IPB160N04S3H2ATMA1
包装方式：卷带（TR）
功率：214W
漏源电压：40V
连续漏极电流：160A
栅极电荷：145nC@10V
类型：N沟道
导通电阻：2.1mΩ@80A，10V
工作温度：-55℃~175℃
输入电容：9600pF@25V
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：1645}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDWS9508L-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：107nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4840pF@20V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：4.9mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
