品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40HLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9V13-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-40VLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9V13-40HX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40HLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8305,"23+":25027,"24+":1585,"MI+":17588}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"23+":38611,"MI+":41339}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":8305,"23+":25027,"24+":1585,"MI+":17588}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-40VLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN014-40HLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2340pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.3mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN013-40VLDX
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:2.2V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1160pF@25V
连续漏极电流:42A
类型:2个N通道(半桥)
导通电阻:13.6mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":5000,"23+":38611,"MI+":41339}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:46W
阈值电压:4V@17µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22.4nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1780pF@6V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.9mΩ@50A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: