采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQS840CENW-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：33W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：22.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1031pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@7.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SVD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：388}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDB3632-F085
工作温度：-55℃~175℃
功率：310W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6000pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@80A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9Y113-100E，115
工作温度：-55℃~175℃
功率：45W
阈值电压：2.1V@1mA
栅极电荷：8.4nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：870pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：110mΩ@5A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：HUF76407D3ST
工作温度：-55℃~175℃
功率：38W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：11.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：350pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：92mΩ@13A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055-094T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：450pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：94mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD3055L104T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W€48W
阈值电压：2V@250µA
栅极电荷：20nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：440pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：104mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ4850EY-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：6.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1250pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：22mΩ@6A，5V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ431EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3.5V@250µA
栅极电荷：160nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4355pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：213mΩ@1A，4V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD413A
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：21nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1125pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：44mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD2955T4G
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：30nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：750pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：180mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD609
工作温度：-55℃~175℃
功率：2W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：650pF@20V
连续漏极电流：12A
类型：N和P沟道，共漏
导通电阻：30mΩ@12A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD12NF06T4
工作温度：-55℃~175℃
功率：30W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：12nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：315pF@25V
连续漏极电流：12A
类型：N沟道
导通电阻：100mΩ@6A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：AOD407
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.5W€50W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：20nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1185pF@30V
连续漏极电流：12A
类型：P沟道
导通电阻：115mΩ@12A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
