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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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规格型号(MPN)：PMN40SNAX
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功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
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输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
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功率：1.8W
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栅极电荷：91nC@10V
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输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PMN40SNAX
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：14nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：453pF@30V
连续漏极电流：4.7A
类型：N沟道
导通电阻：36mΩ@4，7A，10V
漏源电压：60V
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：DIODES
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4015SSS-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.8W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：91nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4234pF@20V
连续漏极电流：11.4A
类型：P沟道
导通电阻：11mΩ@9.8A，10V
漏源电压：40V
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