品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815NH-1G
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功率:1.26W€32.6W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:6.8nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:845pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"16+":10875}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4979N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:16.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:837pF@15V
连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":39440,"09+":57,"10+":24375}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NH-35G
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功率:1.3W€52W
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栅极电荷:15nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2155pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":300,"15+":25815}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
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栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
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类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
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栅极电荷:11nC@4.5V
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连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":150,"10+":39754,"11+":3975}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€107W
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ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
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输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
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库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NA-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€68W
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栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"11+":35765,"16+":7725}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4969N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.38W€26.3W
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栅极电荷:9nC@4.5V
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连续漏极电流:9.4A€41A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":48500,"07+":37500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809NA-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.3W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":300,"15+":25815}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4965N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.39W€38.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.2nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1710pF@15V
连续漏极电流:13A€68A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"13+":300,"14+":11700,"15+":34050}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4806N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:2142pF@12V
连续漏极电流:11.3A€79A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":4265,"08+":840}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4808N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€54.6W
阈值电压:2.5V@250µA
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栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1538pF@12V
连续漏极电流:10A€63A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4813N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€35.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:860pF@12V
连续漏极电流:7.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6645}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4813N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€35.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:860pF@12V
连续漏极电流:7.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"21+":125000,"MI+":1000}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):STP160N3LL
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:42nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:3500pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.2mΩ@60A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":6645}
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销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4813N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€35.3W
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栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:860pF@12V
连续漏极电流:7.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3150,"12+":58725}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3150,"12+":58725}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3908,"09+":10547}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4813NH-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€35.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:940pF@12V
连续漏极电流:7.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":1500,"09+":770}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4804NA-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.43W€93.75W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:40nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:4490pF@12V
连续漏极电流:14.5A€124A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"08+":3555}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4805N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.41W€79W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:48nC@11.5V
包装方式:管件
输入电容:2865pF@12V
连续漏极电流:12.7A€95A
类型:N沟道
导通电阻:5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":590,"08+":3075}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810NH-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.28W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1225pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":25,"11+":525,"12+":9500,"13+":300,"14+":10100,"18+":37950,"22+":10425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.1nC@11.5V
包装方式:管件
输入电容:770pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5824,"08+":225,"09+":699}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":25,"11+":525,"12+":9500,"13+":300,"14+":10100,"18+":37950,"22+":10425}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4815N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.26W€32.6W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14.1nC@11.5V
包装方式:管件
输入电容:770pF@12V
连续漏极电流:6.9A€35A
类型:N沟道
导通电阻:15mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":6150}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4813N-35G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.27W€35.3W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.9nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:860pF@12V
连续漏极电流:7.6A€40A
类型:N沟道
导通电阻:13mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"06+":5824,"08+":225,"09+":699}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4809N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€52W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:13nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1456pF@12V
连续漏极电流:9.6A€58A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"07+":6700,"08+":2850}
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4810N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.4W€50W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:11nC@4.5V
包装方式:管件
输入电容:1350pF@12V
连续漏极电流:9A€54A
类型:N沟道
导通电阻:10mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: