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品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"09+"：811}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9E04-30B，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：56nC@5V
包装方式：管件
输入电容：6526pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：3mΩ@25A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NXP
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"09+"：811}
规格型号(MPN)：BUK9E04-30B，127
漏源电压：30V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
输入电容：6526pF@25V
阈值电压：2V@1mA
工作温度：-55℃~175℃
导通电阻：3mΩ@25A，10V
包装方式：管件
功率：254W
栅极电荷：56nC@5V
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP8860
工作温度：-55℃~175℃
功率：254W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：222nC@10V
包装方式：管件
输入电容：12240pF@15V
连续漏极电流：80A
类型：N沟道
导通电阻：2.5mΩ@80A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
