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    11A
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    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 11A
    当前匹配商品:10+
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订50个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订50个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订2500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订2500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRF9Z24SPBF 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF9Z24SPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€60W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:19nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:570pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:280mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NXP Mosfet场效应管 BUK95180-100A,127 起订1188个装
    NXP Mosfet场效应管 BUK95180-100A,127 起订1188个装

    品牌:NXP

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"12+":1000,"9999":936}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK95180-100A,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:54W

    阈值电压:2V@1mA

    ECCN:EAR99

    包装方式:管件

    输入电容:619pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:173mΩ@5A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订2000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 IRFI9540GPBF 起订2000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFI9540GPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:61nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1400pF@25V

    连续漏极电流:11A

    类型:P沟道

    导通电阻:200mΩ@6.6A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12J 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

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