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    5A
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    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    连续漏极电流: 5A
    漏源电压: 1700V
    当前匹配商品:8
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

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