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    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
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    当前匹配商品:20+
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    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订246个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

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    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

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    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

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    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

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    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订5个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订5个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订25个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订25个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

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    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订345个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订345个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

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    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E13-60E,127 起订1002个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E13-60E,127 起订1002个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4794}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E13-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

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    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订30个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订30个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

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    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订300个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订300个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

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    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

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    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"10+":50,"13+":700,"14+":4125,"18+":125,"19+":244,"22+":52,"9999":150,"MI+":1700}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    栅极电荷:100nC@10V

    功率:167W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:3500pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订120个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订120个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    栅极电荷:106nC@20V

    输入电容:1762pF@800V

    类型:N沟道

    漏源电压:1200V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    包装方式:管件

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTB6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"11+":7810}

    包装规格(MPQ):50psc

    规格型号(MPN):NTB6412ANG

    栅极电荷:100nC@10V

    功率:167W

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:58A

    包装方式:管件

    阈值电压:4V@250µA

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    ECCN:EAR99

    输入电容:3500pF@25V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E13-60E,127 起订5000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7E13-60E,127 起订5000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"19+":4794}

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7E13-60E,127

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:96W

    阈值电压:4V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:22.9nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:1730pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@15A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订11个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTH4L040N120SC1 起订11个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"20+":25}

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTH4L040N120SC1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:319W

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:1762pF@800V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:56mΩ@35A,20V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订2000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NTP6412ANG 起订2000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTP6412ANG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:167W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:100nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:3500pF@25V

    连续漏极电流:58A

    类型:N沟道

    导通电阻:18.2mΩ@58A,10V

    漏源电压:100V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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