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    品牌: GeneSiC
    工作温度: -55℃~175℃
    包装方式: 管件
    ECCN: EAR99
    当前匹配商品:80+
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    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R12MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R12MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:567W

    阈值电压:2.7V@50mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:288nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:9335pF@800V

    连续漏极电流:157A

    类型:N沟道

    导通电阻:13mΩ@100A,18V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT12N 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT12N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:365W

    阈值电压:2.69V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:219nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:5873pF@800V

    连续漏极电流:105A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@60A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT17D 起订2500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:44W

    阈值电压:5.5V@500µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:111pF@1000V

    连续漏极电流:5A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订1000个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT12D 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:123W

    阈值电压:2.69V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:730pF@800V

    连续漏极电流:22A

    类型:N沟道

    导通电阻:192mΩ@10A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订100个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订100个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订500个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12K 起订500个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:333W

    阈值电压:2.69V@10mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:71A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R350MT12D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R350MT12D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:2.69V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:334pF@800V

    连续漏极电流:11A

    类型:N沟道

    导通电阻:420mΩ@4A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R160MT17D 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R160MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:175W

    阈值电压:2.7V@5mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:1272pF@1000V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:208mΩ@12A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订10个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订25个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R20MT17N 起订25个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):10psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R20MT17N

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:523W

    阈值电压:2.7V@15mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:400nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:10187pF@1000V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:26mΩ@75A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订250个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订250个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R45MT17D 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R45MT17D

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:438W

    阈值电压:2.7V@8mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:182nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:4523pF@1000V

    连续漏极电流:61A

    类型:N沟道

    导通电阻:58mΩ@40A,15V

    漏源电压:1700V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R30MT12K 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):30psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R30MT12K

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:400W

    阈值电压:2.69V@12mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:155nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:3901pF@800V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:36mΩ@50A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G2R1000MT33J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G2R1000MT33J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:74W

    阈值电压:3.5V@2mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@20V

    包装方式:管件

    输入电容:238pF@1000V

    连续漏极电流:4A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.2Ω@2A,20V

    漏源电压:3300V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装
    GeneSiC Mosfet场效应管 G3R40MT12J 起订1个装

    品牌:GeneSiC

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):G3R40MT12J

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:374W

    阈值电压:2.7V@18mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:106nC@15V

    包装方式:管件

    输入电容:2929pF@800V

    连续漏极电流:75A

    类型:N沟道

    导通电阻:48mΩ@35A,15V

    漏源电压:1200V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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