采购热线 400-661-9010
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5933，"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：450，"21+"：5}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK758R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：39829，"13+"：1650，"14+"：635182}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4906N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€37.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@15V
连续漏极电流：10.3A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17450}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4906N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€37.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@15V
连续漏极电流：10.3A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"11+"：17450}
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4906N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€37.5W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@15V
连续漏极电流：10.3A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5933，"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：5933，"19+"：4000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4906N-1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€37.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@15V
连续漏极电流：10.3A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：75psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTD4906N-35G
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.38W€37.5W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1932pF@15V
连续漏极电流：10.3A€54A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：75psc
生产批次：{"11+"：17450}
规格型号(MPN)：NTD4906N-1G
输入电容：1932pF@15V
漏源电压：30V
功率：1.38W€37.5W
类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
连续漏极电流：10.3A€54A
包装方式：管件
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"17+"：5933，"19+"：4000}
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
漏源电压：40V
类型：N沟道
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
输入电容：1730pF@25V
阈值电压：4V@1mA
功率：96W
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7E8R3-40E，127
工作温度：-55℃~175℃
功率：96W
阈值电压：4V@1mA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1730pF@25V
连续漏极电流：75A
类型：N沟道
导通电阻：7.4mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：60psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H035WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：187W
阈值电压：4.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1500pF@400V
连续漏极电流：47.2A
类型：N沟道
导通电阻：41mΩ@32A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：Transphorm
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：TP65H050WSQA
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4.8V@700µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1000pF@400V
连续漏极电流：36A
类型：N沟道
导通电阻：60mΩ@25A，10V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD18534KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：2.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：24nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1880pF@30V
连续漏极电流：45A€100A
类型：N沟道
导通电阻：9.5mΩ@40A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
