品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM60N20-35_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:135nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5850pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:35mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.1A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM65N20-30-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W€375W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:130nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:65A
类型:N沟道
导通电阻:30mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC270SA20
工作温度:-55℃~175℃
功率:937W
阈值电压:4.3V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:16500pF@100V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@200A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90140E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4132pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP90142E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:87nC@10V
包装方式:管件
输入电容:31200pF@100V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:15.2mΩ@30A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUM90100E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:散装
输入电容:3930pF@100V
连续漏极电流:150A
类型:N沟道
导通电阻:11.4mΩ@16A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA20EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:27nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1300pF@25V
连续漏极电流:22.5A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@10A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUG90090E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:395W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:129nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5220pF@100V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:9.5mΩ@20A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ454EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2600pF@25V
连续漏极电流:13A
类型:N沟道
导通电阻:145mΩ@7.5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431AEP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3700pF@25V
连续漏极电流:9.4A
类型:P沟道
导通电阻:305mΩ@3.8A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD90330E-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:32nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1172pF@100V
连续漏极电流:35.8A
类型:N沟道
导通电阻:37.5mΩ@12.2A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):10psc
销售单位:个
规格型号(MPN):VS-FC270SA20
工作温度:-55℃~175℃
功率:937W
阈值电压:4.3V@1mA
栅极电荷:250nC@10V
包装方式:散装
输入电容:16500pF@100V
连续漏极电流:287A
类型:N沟道
导通电阻:4.7mΩ@200A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SUD19N20-90-E3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€136W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@25V
连续漏极电流:19A
类型:N沟道
导通电阻:90mΩ@5A,10V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ431EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:160nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4355pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:P沟道
导通电阻:213mΩ@1A,4V
漏源电压:200V
包装清单:商品主体 * 1
库存: