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    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5832NLWFT3G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5832NLWFT3G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€127W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:51nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2700pF@25V

    连续漏极电流:21A

    类型:N沟道

    导通电阻:4.2mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订100个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订100个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40B209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:15140pF@25V

    连续漏极电流:414A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:224
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"24+":7500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:377
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:110A€194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:96
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40B209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:15140pF@25V

    连续漏极电流:414A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:300
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":1250}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40B209

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:270nC@4.5V

    包装方式:管件

    输入电容:15140pF@25V

    连续漏极电流:414A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订10个装
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT 起订10个装

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFD5852NLWFT1G 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFD5852NLWFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1800pF@25V

    连续漏极电流:15A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:6.9mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"22+":4836}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:500W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:269nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:16000pF@20V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):500psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:64nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5940pF@20V

    连续漏极电流:194A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT
    TI Mosfet场效应管 CSD18511KTT

    品牌:TI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    包装规格(MPQ):500psc

    规格型号(MPN):CSD18511KTT

    功率:188W

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    栅极电荷:64nC@10V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:5940pF@20V

    导通电阻:2.6mΩ@100A,10V

    连续漏极电流:194A

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40T209ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":4836}

    规格型号(MPN):IRL40T209ATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:300A

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N沟道

    输入电容:16000pF@20V

    栅极电荷:269nC@4.5V

    工作温度:-55℃~175℃

    导通电阻:0.72mΩ@100A,10V

    功率:500W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209
    INFINEON Mosfet场效应管 IRL40B209

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    生产批次:{"22+":1250}

    规格型号(MPN):IRL40B209

    栅极电荷:270nC@4.5V

    输入电容:15140pF@25V

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.4V@250µA

    类型:N-Channel

    连续漏极电流:414A

    工作温度:-55℃~175℃

    包装方式:管件

    导通电阻:1.25mΩ@100A,10V

    功率:375W

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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