首页 >
    >
    点击此处进行类目切换
    商品信息
    参数
    库存/批次
    价格
    预计送达
    数量/起订
    操作
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG 起订2个装

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1000
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:100
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.4W€48W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1135pF@20V

    连续漏极电流:9A€39A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1135pF@20V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.4W€48W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9A€39A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG
    Taiwan Semiconductor Mosfet场效应管 TQM150NB04DCR RLG

    品牌:Taiwan Semiconductor

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):TQM150NB04DCR RLG

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@9A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1135pF@20V

    阈值电压:4V@250µA

    功率:2.4W€48W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:9A€39A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH41M8SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH41M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.03W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:79.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6968pF@20V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@30A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S204AKSA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPI80N04S204AKSA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":296,"14+":18500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPI80N04S204AKSA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:338
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NWFET1G
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NWFET1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C404NWFET1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@25V

    连续漏极电流:53A€378A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.70mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订102个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订102个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":1532,"22+":1796,"23+":3287,"MI+":1938}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0065N40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:102
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2204PBF 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2204PBF 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2204PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:5890pF@25V

    连续漏极电流:210A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.6mΩ@130A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404STRLPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF1404STRLPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF1404STRLPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:200nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:7360pF@25V

    连续漏极电流:162A

    类型:N-Channel

    导通电阻:4mΩ@95A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:800
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPDQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPDQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0065N40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4011SPD-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4011SPD-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:805pF@20V

    连续漏极电流:11.1A€42A

    类型:2N沟道(双)

    导通电阻:15mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2804STRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6930pF@25V

    连续漏极电流:280A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6mΩ@160A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB160N04S203ATMA4

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"14+":200,"19+":575,"22+":194995,"23+":7507,"MI+":5000}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB160N04S203ATMA4

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:160A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.9mΩ@60A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:157
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4M70SPGWQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4M70SPGWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5.6W€428W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:117.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10053pF@20V

    连续漏极电流:460A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@25A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF2804STRL7PP

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF2804STRL7PP

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:330W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6930pF@25V

    连续漏极电流:280A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1.6mΩ@160A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDBL0065N40 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDBL0065N40

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:429W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:296nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:15900pF@25V

    连续漏极电流:300A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.65mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7739L1TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRF7739L1TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRF7739L1TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.8W€125W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:330nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11880pF@25V

    连续漏极电流:46A

    类型:N-Channel

    导通电阻:1mΩ@160A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G
    onsemi Mosfet场效应管 NTMFS5C442NT1G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTMFS5C442NT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.7W€83W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:32nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2100pF@25V

    连续漏极电流:29A€140A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.3mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S204ATMA2 起订1个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB80N04S204ATMA2 起订1个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB80N04S204ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:300W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5300pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@80A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NAFT1G 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 NVMFS5C404NAFT1G 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVMFS5C404NAFT1G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€200W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:128nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8400pF@25V

    连续漏极电流:53A€378A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH4005SPSQ-13

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH4005SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€150W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:49.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3062pF@20V

    连续漏极电流:20.9A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.7mΩ@50A,10V

    漏源电压:40V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    正在加载中,请稍后~~
    商家精选
    商品精选
    1. 品类齐全,轻松购物
    2. 多仓直发,极速配送
    3. 正品行货,精致服务
    4. 天天低价,畅选无忧