采购热线 400-661-9010
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：强茂
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：PJD50P04-AU_L2_000A1
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.4W€75W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：23nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2767pF@25V
连续漏极电流：9A€50A
类型：P沟道
导通电阻：12mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50P04P413ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：58W
阈值电压：4V@85µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：51nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3670pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：P沟道
导通电阻：12.6mΩ@50A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB120P04P404ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：136W
阈值电压：4V@340µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：205nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：14790pF@25V
连续漏极电流：120A
类型：P沟道
导通电阻：3.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD85P04P407ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6085pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@85A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB80P04P4L06ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：2.2V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：104nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6580pF@25V
连续漏极电流：80A
类型：P沟道
导通电阻：6.7mΩ@80A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD85P04P407ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：88W
阈值电压：4V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：89nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：6085pF@25V
连续漏极电流：85A
类型：P沟道
导通电阻：7.3mΩ@85A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ409EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFS025P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.5W€44.1W
阈值电压：2.4V@255µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：16.3nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1058pF@20V
连续漏极电流：9.4A€34.6A
类型：P沟道
导通电阻：23mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQ3419AEEV-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：5W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.5nC@4.5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：975pF@20V
连续漏极电流：6.9A
类型：P沟道
导通电阻：61mΩ@2.5A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：563，"23+"：593}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPB180P04P403ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：150W
阈值电压：4V@410µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：250nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：17640pF@25V
连续漏极电流：180A
类型：P沟道
导通电阻：2.8mΩ@100A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P409ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：4V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：70nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4810pF@25V
连续漏极电流：73A
类型：P沟道
导通电阻：8.9mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ409EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ409EP-T2_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS9D6P04M8LTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€75W
阈值电压：2.4V@580µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：34.6nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2312pF@20V
连续漏极电流：13A€64A
类型：P沟道
导通电阻：9.5mΩ@20A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTYS014P04M8LTWG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.1W€88W
阈值电压：3V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：27nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：16900pF@25V
连续漏极电流：10.4A€53A
类型：P沟道
导通电阻：13.5mΩ@25A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD70P04P4L08ATMA2
工作温度：-55℃~175℃
功率：75W
阈值电压：2.2V@120µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：92nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5430pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：P沟道
导通电阻：7.8mΩ@70A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ409EP-T1_BE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：260nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：11000pF@25V
连续漏极电流：60A
类型：P沟道
导通电阻：7mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK6D43-40PX
工作温度：-55℃~175℃
功率：15W
阈值电压：2.7V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：36nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1260pF@20V
连续漏极电流：6A
类型：P沟道
导通电阻：43mΩ@6A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVMFWS014P04M8LT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.6W€60W
阈值电压：2.4V@420µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：26.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1734pF@20V
连续漏极电流：12.5A€52.1A
类型：P沟道
导通电阻：13.8mΩ@15A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：DIODES
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：DMPH4013SPSQ-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：1.5W
阈值电压：3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@20V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4763pF@20V
连续漏极电流：69A
类型：P沟道
导通电阻：13mΩ@10A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
