采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
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输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：TI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
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包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
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包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
阈值电压：4V@700µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
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销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
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包装方式：管件
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连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"20+"：58，"23+"：2500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
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连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
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包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：4790}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
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ECCN：EAR99
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连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
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功率：214W
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包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
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包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：210，"9999"：23}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPI045N10N3GXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.5V@150µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：117nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8410pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：4.5mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
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包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：CSD19531KCS
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：3.3V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：38nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3870pF@50V
连续漏极电流：100A
类型：N沟道
导通电阻：7.7mΩ@60A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDP2D3N10C
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@700µA
栅极电荷：152nC@10V
包装方式：管件
输入电容：11180pF@50V
连续漏极电流：222A
类型：N沟道
导通电阻：2.3mΩ@100A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA70N10
工作温度：-55℃~175℃
功率：214W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：110nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3300pF@25V
连续漏极电流：70A
类型：N沟道
导通电阻：23mΩ@35A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
