品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9407
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.5W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:732pF@30V
连续漏极电流:3A
类型:P沟道
导通电阻:150mΩ@3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76407D3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:11.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:350pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:92mΩ@13A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"24+":1500}
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFD5875NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:540pF@25V
连续漏极电流:7A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33mΩ@7.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76439S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76439S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:180W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:84nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2745pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@75A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):HUF76429S3ST
工作温度:-55℃~175℃
功率:110W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:46nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1480pF@25V
连续漏极电流:47A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@47A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NDS9948
工作温度:-55℃~175℃
功率:900mW
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:394pF@30V
连续漏极电流:2.3A
类型:2个P沟道(双)
导通电阻:250mΩ@2.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4559
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€759pF@25V
连续漏极电流:4.5A€3.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS5116PLWFTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€21W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@25V
连续漏极电流:6A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS4559
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:650pF@25V€759pF@25V
连续漏极电流:4.5A€3.5A
类型:N和P沟道
导通电阻:55mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDS9945
工作温度:-55℃~175℃
功率:1W
阈值电压:3V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:420pF@30V
连续漏极电流:3.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:100mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTTFS5116PLTWG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€40W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:25nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1258pF@30V
连续漏极电流:5.7A
类型:P沟道
导通电阻:52mΩ@6A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":10246}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDMC86570LET60
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.8W€65W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:88nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4790pF@30V
连续漏极电流:18A€87A
类型:N沟道
导通电阻:4.3mΩ@18A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: