品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQS660CENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:62.5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1950pF@25V
连续漏极电流:18A
类型:N沟道
导通电阻:11.2Ω@7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ457EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:100nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3400pF@25V
连续漏极电流:36A
类型:P沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ459EP-T2_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:108nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4586pF@30V
连续漏极电流:52A
类型:P沟道
导通电阻:18mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ164ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:187W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:57nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3100pF@25V
连续漏极电流:75A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@15A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ960EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:735pF@25V
连续漏极电流:8A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:36mΩ@5.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ968EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:714pF@30V
连续漏极电流:23.5A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:33.6mΩ@4.8A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SUP50020EL-GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:126nC@10V
包装方式:散装
输入电容:11113pF@30V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:2.3mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM50034EL_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:150W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:90nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6100pF@25V
连续漏极电流:100A
类型:N沟道
导通电阻:3.9mΩ@20A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ1421EDH-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:5.4nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:355pF@25V
连续漏极电流:1.6A
类型:P沟道
导通电阻:290mΩ@2A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM120N06-3M5L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:330nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:14700pF@25V
连续漏极电流:120A
类型:N沟道
导通电阻:3.5mΩ@29A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3427EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:22nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@30V
连续漏极电流:5.3A
类型:P沟道
导通电阻:95mΩ@4.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ560EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:34W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1650pF@25V
连续漏极电流:30A€18A
类型:N和P沟道
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJB60EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:48W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@25V
连续漏极电流:30A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:12mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426EV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:720pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):800psc
销售单位:个
规格型号(MPN):SQM110P06-8M9L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:230W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:200nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7450pF@25V
连续漏极电流:110A
类型:P沟道
导通电阻:8.9mΩ@30A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ7415AENW-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:53W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1385pF@25V
连续漏极电流:16A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@5.7A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9945BEY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:4W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:470pF@25V
连续漏极电流:5.4A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:64mΩ@3.4A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA62EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:85nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5100pF@25V
连续漏极电流:60A
类型:N沟道
导通电阻:4.5mΩ@10A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ4850EY-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:6.8W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1250pF@25V
连续漏极电流:12A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@6A,5V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ464EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2086pF@30V
连续漏极电流:32A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@7.1A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ3426AEEV-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:5W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:12nC@4.5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:700pF@30V
连续漏极电流:7A
类型:N沟道
导通电阻:42mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ952EP-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:25W
阈值电压:2.5V@250µA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1800pF@30V
连续漏极电流:23A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:20mΩ@10.3A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQD50P06-15L_T4GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:136W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5910pF@25V
连续漏极电流:50A
类型:P沟道
导通电阻:15.5mΩ@17A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQ9407EY-T1_BE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.75W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:40nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1140pF@30V
连续漏极电流:4.6A
类型:P沟道
导通电阻:85mΩ@3.5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: