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    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCTQ 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCTQ

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:47.4nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6002LPSWQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6002LPSWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€167W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:131nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8289pF@30V

    连续漏极电流:205A

    类型:N沟道

    导通电阻:2mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SCTBQ-13 起订1个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SCTBQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:4.7W€136W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.4mΩ@100A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LFDFWQ-7R 起订6个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LFDFWQ-7R

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.06W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:15.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:925pF@30V

    连续漏极电流:9.4A

    类型:N沟道

    导通电阻:18mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13 起订4个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6005LK3Q-13 起订4个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6005LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€100W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:47.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2962pF@30V

    连续漏极电流:90A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.6mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012LK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:12mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LK3Q-13 起订2500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.8A€46.9A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:36.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1940pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6012SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6012SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.6W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:35.2nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1926pF@30V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:11mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6009LK3-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6009LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€60W

    阈值电压:2V@250µA

    栅极电荷:33.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1925pF@30V

    连续漏极电流:14.2A€59A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@13.5A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:96.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SK3-13 起订3个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6042SK3-13 起订3个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6042SK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:8.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:492pF@25V

    连续漏极电流:25A

    类型:N沟道

    导通电阻:50mΩ@6A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SPSQ-13 起订5个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SPSQ-13 起订5个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.1W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:25A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.1mΩ@50A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH61M8SPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH61M8SPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH61M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH61M8SPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH61M8SPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH61M8SPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W€167W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:130.6nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:8306pF@30V

    连续漏极电流:215A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.6mΩ@30A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSQ-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€136W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:13.5A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:96.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004SK3Q-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.9W€180W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:95.4nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4556pF@30V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3.8mΩ@90A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LK3-13 起订7个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LK3-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    连续漏极电流:14.8A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6016LPS-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6016LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€37.5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:17nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:864pF@30V

    连续漏极电流:10.6A€37.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:16mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSWQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010LPSWQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010LPSWQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.9W€75W

    阈值电压:3V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:41.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2090pF@30V

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6010SK3Q-13 起订10个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6010SK3Q-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.1W

    阈值电压:4V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:38.1nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2841pF@30V

    连续漏极电流:16.3A€70A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH6008SCT 起订50个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):50psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH6008SCT

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:210W

    阈值电压:4V@250µA

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:管件

    输入电容:2596pF@30V

    连续漏极电流:130A

    类型:N沟道

    导通电阻:8mΩ@20A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMTH6004LPS-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMTH6004LPS-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2.6W€138W

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:96.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4515pF@30V

    连续漏极电流:22A€100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:60V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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