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    工作温度: -55℃~175℃
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    当前匹配商品:900+
    商品信息
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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YL,115 起订939个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN3R0-30YL,115 起订939个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"23+":13500}

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN3R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:81W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:45.8nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2822pF@12V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:939
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订1个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMNR90-30BL,118 起订1个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMNR90-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:306W

    阈值电压:2.2V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:243nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:14850pF@15V

    连续漏极电流:120A

    类型:N沟道

    导通电阻:1mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订2500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDS4935A 起订2500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDS4935A

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:900mW

    阈值电压:3V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1233pF@15V

    连续漏极电流:7A

    类型:2个P沟道(双)

    导通电阻:23mΩ@7A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ130EL-T1_GE3 起订1个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJQ130EL-T1_GE3 起订1个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJQ130EL-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:600W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:455nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:23345pF@25V

    连续漏极电流:445A

    类型:N沟道

    导通电阻:0.52mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P03P404ATMA2
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD90P03P404ATMA2

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD90P03P404ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:137W

    阈值电压:4V@253µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:130nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10300pF@25V

    连续漏极电流:90A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.5mΩ@90A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2500
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N03S4L01ATMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 IPB180N03S4L01ATMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPB180N03S4L01ATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:188W

    阈值电压:2.2V@140µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:239nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:17600pF@25V

    连续漏极电流:180A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.05mΩ@100A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR8314TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRFR8314TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRFR8314TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:125W

    阈值电压:2.2V@100µA

    栅极电荷:54nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4945pF@15V

    连续漏极电流:179A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.2mΩ@90A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2000
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMV19XNEAR 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMV19XNEAR

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:610mW€8.3W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:18.6nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1150pF@15V

    连续漏极电流:6A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@6A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4810NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"10+":2900,"13+":770}

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4810NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.4W€50W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:11nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1350pF@12V

    连续漏极电流:9A€54A

    类型:N沟道

    导通电阻:10mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:1781
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG
    onsemi Mosfet场效应管 NVTFS4C25NWFTAG

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W€14.3W

    阈值电压:2.2V@250µA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:500pF@15V

    连续漏极电流:10.1A€22.1A

    类型:N沟道

    导通电阻:17mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3457EV-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3457EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:21nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:705pF@15V

    连续漏极电流:6.8A

    类型:P沟道

    导通电阻:65mΩ@6A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R7-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R7-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:170W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:66nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3954pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:3mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-30YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN011-30YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN011-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:29W

    阈值电压:1.95V@1mA

    栅极电荷:10.3nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:641pF@15V

    连续漏极电流:37A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.6mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    加购:5
    ST Mosfet场效应管 STD80N3LL
    ST Mosfet场效应管 STD80N3LL

    品牌:ST

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):STD80N3LL

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:18nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1640pF@25V

    连续漏极电流:80A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.2mΩ@40A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:5
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2348ES-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2348ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:14.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:540pF@15V

    连续漏极电流:8A

    类型:N沟道

    导通电阻:24mΩ@12A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P03P4L11ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P03P4L11ATMA2

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:58W

    阈值电压:2V@85µA

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3770pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:10.5mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ403BEEP-T1_GE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ403BEEP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:164nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    连续漏极电流:30A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3000
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD060N03LGATMA1 起订3个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:56W

    阈值电压:2.2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:23nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2400pF@15V

    连续漏极电流:50A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:3
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R8-30BL,118
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R8-30BL,118

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):800psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R8-30BL,118

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:270W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:170nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10180pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.8mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P03-07_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P03-07_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P03-07_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:146nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:5490pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订7个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PMPB55XNEAX 起订7个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PMPB55XNEAX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:550mW

    阈值电压:1.25V@250µA

    栅极电荷:5nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:255pF@15V

    连续漏极电流:3.8A

    类型:N沟道

    导通电阻:72mΩ@3.8A,4.5V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:7
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1
    INFINEON Mosfet场效应管 SPD50P03LGBTMA1

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SPD50P03LGBTMA1

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:150W

    阈值电压:2V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:126nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6880pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:7mΩ@50A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ407EP-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ407EP-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:68W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:260nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10700pF@25V

    连续漏极电流:60A

    类型:P沟道

    导通电阻:4.4mΩ@10A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB4132PBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLB4132PBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    包装规格(MPQ):100psc

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLB4132PBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:140W

    包装方式:管件

    连续漏极电流:150A

    类型:N-Channel

    导通电阻:2.5mΩ

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:4
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4532AEY-T1_BE3

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4532AEY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.3W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:535pF@15V€528pF@15V

    连续漏极电流:7.3A€5.3A

    类型:N和P沟道

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G
    onsemi Mosfet场效应管 NTD4804NT4G

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):NTD4804NT4G

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:1.43W€107W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:40nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:4490pF@12V

    连续漏极电流:14.5A€124A

    类型:N沟道

    导通电阻:4mΩ@30A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M6R6-30EX

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M6R6-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:75W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:18nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2001pF@25V

    连续漏极电流:70A

    类型:N沟道

    导通电阻:5.3mΩ@20A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:10
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-30YLC,115
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN1R0-30YLC,115

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN1R0-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:272W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:103.5nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6645pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:1.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:500
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN2R2-30YLC,115 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN2R2-30YLC,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:141W

    阈值电压:1.95V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:55nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3310pF@15V

    连续漏极电流:100A

    类型:N沟道

    导通电阻:2.15mΩ@25A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    起购:2
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF
    INFINEON Mosfet场效应管 IRLR2703TRPBF

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IRLR2703TRPBF

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:45W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:15nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:450pF@25V

    连续漏极电流:23A

    类型:N-Channel

    导通电阻:45mΩ@14A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    起购:1000
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