品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C10NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€28W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:19.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:993pF@15V
连续漏极电流:15.3A€47A
类型:N沟道
导通电阻:7.4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD040N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:38nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:3900pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ST
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):STD17NF03LT4
工作温度:-55℃~175℃
功率:30W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:6.5nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:320pF@25V
连续漏极电流:17A
类型:N沟道
导通电阻:50mΩ@8.5A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD135N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:30A
类型:N沟道
导通电阻:13.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD031N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:94W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:51nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:5300pF@15V
连续漏极电流:90A
类型:N沟道
导通电阻:3.1mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS4C01NWFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.84W€161W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:139nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:10144pF@15V
连续漏极电流:49A€319A
类型:N沟道
导通电阻:0.9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD060N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:56W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2400pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":27000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPS105N03LGAKMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:14nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1500pF@15V
连续漏极电流:35A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD075N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:47W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:18nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1900pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:7.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"17+":15,"19+":250,"20+":500}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP055N03LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3200pF@15V
连续漏极电流:50A
类型:N沟道
导通电阻:5.5mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:AOS
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):AOD210
工作温度:-55℃~175℃
功率:2.7W€150W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4300pF@15V
连续漏极电流:23A€70A
类型:N沟道
导通电阻:3mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD090N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:42W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@15V
连续漏极电流:40A
类型:N沟道
导通电阻:9mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C25NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3W€14.3W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:500pF@15V
连续漏极电流:10.1A€22.1A
类型:N沟道
导通电阻:17mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"14+":18000}
销售单位:个
规格型号(MPN):IPB147N03LGATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:31W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1000pF@15V
连续漏极电流:20A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C05NWFTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.2W€68W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:31nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1988pF@15V
连续漏极电流:22A€102A
类型:N沟道
导通电阻:3.6mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVTFS4C06NTAG
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.1W€37W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:26nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1683pF@15V
连续漏极电流:21A
类型:N沟道
导通电阻:4.2mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"09+":6150}
包装规格(MPQ):75psc
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD4909N-1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.37W€29.4W
阈值电压:2.2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.5nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1314pF@15V
连续漏极电流:8.8A€41A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@30A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJ128ELP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:500W
阈值电压:2.2V@250µA
栅极电荷:150nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7315pF@25V
连续漏极电流:437A
类型:N沟道
导通电阻:1.15mΩ@15A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存: