采购热线 400-661-9010
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：FAIRCHILD
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD8880
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
输入电容：1260pF@15V
连续漏极电流：13A€58A
类型：N沟道
导通电阻：9mΩ@35A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"17+"：15，"19+"：250，"20+"：500}
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NWFTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVTFS4C05NTAG
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.2W€68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1988pF@15V
连续漏极电流：22A€102A
类型：N沟道
导通电阻：3.6mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD50N03S4L06ATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：56W
阈值电压：2.2V@20µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2330pF@25V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@50A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP055N03LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5.5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：4016}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPD050N03LGATMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：68W
阈值电压：2.2V@250µA
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3200pF@15V
连续漏极电流：50A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
