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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：24000，"MI+"：15000}
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D15N03CGT1G
工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€124W
阈值电压：2.2V@160µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@15V
连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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输入电容：7300pF@15V
连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
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输入电容：5860pF@15V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.2V@160µA
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输入电容：7300pF@15V
连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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阈值电压：2.2V@160µA
ECCN：EAR99
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类型：N沟道
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
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ECCN：EAR99
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输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
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规格型号(MPN)：NTMFS1D15N03CGT1G
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ECCN：EAR99
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输入电容：7300pF@15V
连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
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输入电容：5860pF@15V
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类型：N沟道
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功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
栅极电荷：94nC@10V
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输入电容：5860pF@15V
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类型：N沟道
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漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€124W
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连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
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行业应用：工业,汽车
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输入电容：7300pF@15V
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类型：N沟道
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连续漏极电流：43A€245A
ECCN：EAR99
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功率：3.8W€124W
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包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@15V
漏源电压：30V
类型：N沟道
阈值电压：2.2V@160µA
工作温度：-55℃~175℃
栅极电荷：94nC@10V
连续漏极电流：43A€245A
ECCN：EAR99
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
功率：3.8W€124W
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分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTMFS1D15N03CGT1G
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输入电容：7300pF@15V
漏源电压：30V
类型：N沟道
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工作温度：-55℃~175℃
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规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
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类型：N沟道
工作温度：-55℃~175℃
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阈值电压：2.5V@1mA
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栅极电荷：94nC@10V
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工作温度：-55℃~175℃
功率：3.8W€124W
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ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：7300pF@15V
连续漏极电流：43A€245A
类型：N沟道
导通电阻：1.15mΩ@20A，10V
漏源电压：30V
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
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连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
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行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
阈值电压：2.5V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDMC8010ET30
工作温度：-55℃~175℃
功率：2.8W€65W
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栅极电荷：94nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：5860pF@15V
连续漏极电流：30A€174A
类型：N沟道
导通电阻：1.3mΩ@30A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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