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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SPB42N03S2L-13
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2V@37µA
栅极电荷：30.5nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1130pF@25V
连续漏极电流：42A
类型：N沟道
导通电阻：12.6mΩ@21A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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行业应用：工业,汽车
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规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
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输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
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品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：2.5V@250µA
栅极电荷：108nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4877pF@15V
连续漏极电流：75A
类型：P沟道
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6688
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6688
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：FDD6688
工作温度：-55℃~175℃
功率：83W
阈值电压：3V@250µA
栅极电荷：56nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3845pF@15V
连续漏极电流：84A
类型：N沟道
导通电阻：5mΩ@18A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJ433EP-T1_GE3
功率：83W
包装方式：卷带（TR）
漏源电压：30V
阈值电压：2.5V@250µA
连续漏极电流：75A
工作温度：-55℃~175℃
类型：P沟道
栅极电荷：108nC@10V
输入电容：4877pF@15V
ECCN：EAR99
导通电阻：8.1mΩ@16A，10V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
