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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订708个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订100个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订100个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订10个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订10个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订1000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订1000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3000个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3000个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订2个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    栅极电荷:33nC@10V

    阈值电压:2.5V@250µA

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1260pF@15V

    功率:55W

    ECCN:EAR99

    连续漏极电流:12.6A€55A

    包装清单:商品主体 * 1

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:30V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:1425pF@12V

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    功率:55W

    连续漏极电流:79A

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订3个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订2个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订2个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订1500个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 PSMN6R0-30YL,115 起订1500个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):PSMN6R0-30YL,115

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.15V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:24nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1425pF@12V

    连续漏极电流:79A

    类型:N沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订1065个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订1065个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":565,"05+":190}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订5000个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD8882 起订5000个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"21+":2490}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8882

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:33nC@10V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:12.6A€55A

    类型:N沟道

    导通电阻:11.5mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订625个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订625个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5000个装
    FAIRCHILD Mosfet场效应管 FDD8880 起订5000个装

    品牌:FAIRCHILD

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"04+":565,"05+":190}

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD8880

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.5V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:31nC@10V

    输入电容:1260pF@15V

    连续漏极电流:13A€58A

    类型:N沟道

    导通电阻:9mΩ@35A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订100个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK9M10-30EX 起订100个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK9M10-30EX

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:55W

    阈值电压:2.1V@1mA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:12.2nC@5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1249pF@25V

    连续漏极电流:54A

    类型:N沟道

    导通电阻:7.8mΩ@15A,10V

    漏源电压:30V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
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