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    漏源电压: 12V
    行业应用: 工业
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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:151nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@6V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_BE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ204EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W€48W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V€3700pF@6V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订3000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:124nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6334pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_BE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_BE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:151nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@6V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订500个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQS405EN-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQS405EN-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:39W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:75nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2650pF@6V

    连续漏极电流:16A

    类型:P沟道

    导通电阻:20mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订500个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订500个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:124nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6334pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ204EP-T1_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ204EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:27W€48W

    阈值电压:1.5V@250µA

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1400pF@6V€3700pF@6V

    连续漏极电流:20A€60A

    类型:2N沟道(双)非对称型

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_BE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ401EP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ401EP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ401EP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:83W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:164nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:10015pF@6V

    连续漏极电流:32A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD306P 起订50个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD306P

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:52W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:21nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:1290pF@6V

    连续漏极电流:6.7A

    类型:P沟道

    导通电阻:28mΩ@6.7A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ3461EV-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ3461EV-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:5W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:28nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:2000pF@6V

    连续漏极电流:8A

    类型:P沟道

    导通电阻:25mΩ@7.9A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2315ES-T1_BE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ2315ES-T1_BE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ2315ES-T1_BE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:2W

    阈值电压:1V@250µA

    ECCN:EAR99

    栅极电荷:13nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:870pF@6V

    连续漏极电流:5A

    类型:P沟道

    导通电阻:50mΩ@3.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQJ123ELP-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQJ123ELP-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:375W

    阈值电压:1.5V@250µA

    栅极电荷:180nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11680pF@6V

    连续漏极电流:238A

    类型:P沟道

    导通电阻:4mΩ@10A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4153EY-T1_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4153EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:7.1W

    阈值电压:900mV@250µA

    栅极电荷:151nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:11000pF@6V

    连续漏极电流:25A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.32mΩ@14A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH1006UPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH1006UPSQ-13

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:3.2W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:124nC@8V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:6334pF@10V

    连续漏极电流:80A

    类型:P沟道

    导通电阻:6mΩ@15A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQ4005EY-T1_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQ4005EY-T1_GE3

    工作温度:-55℃~175℃

    功率:6W

    阈值电压:1V@250µA

    栅极电荷:38nC@4.5V

    包装方式:卷带(TR)

    输入电容:3600pF@6V

    连续漏极电流:15A

    类型:P沟道

    导通电阻:22mΩ@13.5A,4.5V

    漏源电压:12V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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