品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC060SMA070S
工作温度:-55℃~175℃
功率:130W
阈值电压:2.4V@1mA
栅极电荷:56nC@20V
包装方式:管件
输入电容:1175pF@700V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:75mΩ@20A,20V
漏源电压:700V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:1.95V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M17-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA105N15N3GXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:40.5W
阈值电压:4V@160µA
栅极电荷:55nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4300pF@75V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.5mΩ@37A,10V
漏源电压:150V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SQJA72EP-T1_GE3
工作温度:-55℃~175℃
功率:55W
阈值电压:2.5V@250µA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1390pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:19mΩ@10A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":75,"23+":50500}
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1624pF@50V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:26.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:VISHAY
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRFIZ48GPBF
工作温度:-55℃~175℃
功率:50W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:110nC@10V
包装方式:管件
输入电容:2400pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:18mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN011-30YLC,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:29W
阈值电压:1.95V@1mA
栅极电荷:10.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:641pF@15V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:11.6mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTMFS5C468NLT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.5W€28W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:7.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:570pF@20V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:10.3mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN027-100PS,127
工作温度:-55℃~175℃
功率:103W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:30nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1624pF@50V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:26.8mΩ@15A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN025-80YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:25mΩ@10A,10V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:Microchip
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):30psc
销售单位:个
规格型号(MPN):MSC080SMA120B4
工作温度:-55℃~175℃
功率:200W
阈值电压:2.8V@1mA
栅极电荷:64nC@20V
包装方式:管件
输入电容:838pF@1000V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:100mΩ@15A,20V
漏源电压:1200V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M17-30EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:725pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@10A,10V
漏源电压:30V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y25-80E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:95W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:17.1nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2703pF@25V
连续漏极电流:37A
类型:N沟道
导通电阻:27mΩ@10A,5V
漏源电压:80V
包装清单:商品主体 * 1
库存: