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    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S4L08ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S4L08ATMA1

    功率:46W

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:7.3mΩ@50A,10V

    阈值电压:2.2V@17µA

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:2340pF@25V

    连续漏极电流:50A

    栅极电荷:30nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMNH4011SK3Q-13 起订2个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMNH4011SK3Q-13

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1405pF@20V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    功率:2.6W

    栅极电荷:25.5nC@10V

    导通电阻:10mΩ@50A,10V

    阈值电压:4V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订500个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订500个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2

    导通电阻:10.6mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:59nC@10V

    漏源电压:40V

    功率:58W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:3900pF@25V

    阈值电压:2.2V@85µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA1 起订10000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA1 起订10000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:58W

    阈值电压:4V@85µA

    输入电容:3670pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:51nC@10V

    导通电阻:12.6mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R0-40HX 起订10个装
    NEXPERIA Mosfet场效应管 BUK7M6R0-40HX 起订10个装

    品牌:NEXPERIA

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):BUK7M6R0-40HX

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:28nC@10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    功率:70W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:6mΩ@20A,10V

    阈值电压:3.6V@1mA

    ECCN:EAR99

    输入电容:1875pF@25V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订3个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40131EL_GE3 起订3个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40131EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    功率:62W

    漏源电压:40V

    输入电容:6600pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:11.5mΩ@30A,10V

    栅极电荷:115nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-09L-E3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-09L-E3

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:9.4mΩ@24A,10V

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    工作温度:-55℃~175℃

    输入电容:4800pF@25V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    阈值电压:3V@250µA

    栅极电荷:150nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订6000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订6000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:9950pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:71W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:210nC@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订5个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订5个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2

    导通电阻:10.6mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:59nC@10V

    漏源电压:40V

    功率:58W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:3900pF@25V

    阈值电压:2.2V@85µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订100个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    栅极电荷:91nC@10V

    输入电容:4234pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    功率:2.6W

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    输入电容:3590pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2

    导通电阻:10.6mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:59nC@10V

    漏源电压:40V

    功率:58W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:3900pF@25V

    阈值电压:2.2V@85µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订5000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SUD50P04-08-BE3 起订5000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SUD50P04-08-BE3

    功率:3W€100W

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:130nC@10V

    漏源电压:40V

    导通电阻:15mΩ@30A,10V

    输入电容:5400pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    阈值电压:1V@250µA

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P413ATMA2 起订2个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P413ATMA2

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:58W

    阈值电压:4V@85µA

    输入电容:3670pF@25V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:51nC@10V

    ECCN:EAR99

    导通电阻:12.6mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订500个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订500个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:9950pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:71W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:210nC@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50P04P4L11ATMA2 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50P04P4L11ATMA2

    导通电阻:10.6mΩ@50A,10V

    包装方式:卷带(TR)

    栅极电荷:59nC@10V

    漏源电压:40V

    功率:58W

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    输入电容:3900pF@25V

    阈值电压:2.2V@85µA

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订2个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订10个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD40081EL_GE3 起订10个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD40081EL_GE3

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:9950pF@25V

    阈值电压:2.5V@250µA

    功率:71W

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:210nC@10V

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:8.5mΩ@25A,10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS9510L-F085 起订1个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDWS9510L-F085 起订1个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDWS9510L-F085

    输入电容:2320pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:75W

    栅极电荷:37nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1 起订1000个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S309ATMA1 起订1000个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    生产批次:{"18+":2451,"21+":909,"22+":2338,"23+":65354,"MI+":4847}

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S309ATMA1

    包装方式:卷带(TR)

    阈值电压:4V@28µA

    漏源电压:40V

    输入电容:1750pF@25V

    类型:N沟道

    工作温度:-55℃~175℃

    栅极电荷:26nC@10V

    连续漏极电流:50A

    功率:63W

    ECCN:EAR99

    导通电阻:9mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装
    onsemi Mosfet场效应管 FDD9510L-F085 起订3个装

    品牌:ON SEMI

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):FDD9510L-F085

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    导通电阻:13.5mΩ@50A,10V

    输入电容:2020pF@20V

    阈值电压:3V@250µA

    功率:75W

    栅极电荷:37nC@10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

    - +
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装
    INFINEON Mosfet场效应管 IPD50N04S408ATMA1 起订100个装

    品牌:INFINEON

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):IPD50N04S408ATMA1

    功率:46W

    阈值电压:4V@17µA

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    输入电容:1780pF@6V

    类型:N沟道

    栅极电荷:22.4nC@10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    导通电阻:7.9mΩ@50A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50N04-5M6_T4GE3 起订1000个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50N04-5M6_T4GE3

    输入电容:4000pF@25V

    包装方式:卷带(TR)

    导通电阻:5.6mΩ@20A,10V

    漏源电压:40V

    类型:N沟道

    栅极电荷:85nC@10V

    功率:71W

    阈值电压:3.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    栅极电荷:91nC@10V

    输入电容:4234pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    功率:2.6W

    类型:P沟道

    ECCN:EAR99

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订100个装
    VISHAY Mosfet场效应管 SQD50P04-13L_GE3 起订100个装

    品牌:VISHAY

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):SQD50P04-13L_GE3

    输入电容:3590pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    功率:3W€136W

    阈值电压:2.5V@250µA

    导通电阻:13mΩ@17A,10V

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    类型:P沟道

    栅极电荷:90nC@10V

    ECCN:EAR99

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订1000个装
    DIODES Mosfet场效应管 DMPH4015SPSQ-13 起订1000个装

    品牌:DIODES

    分类:Mosfet场效应管

    行业应用:工业,汽车

    销售单位:

    规格型号(MPN):DMPH4015SPSQ-13

    栅极电荷:91nC@10V

    输入电容:4234pF@20V

    包装方式:卷带(TR)

    漏源电压:40V

    阈值电压:2.5V@250µA

    工作温度:-55℃~175℃

    连续漏极电流:50A

    功率:2.6W

    类型:P沟道

    导通电阻:10mΩ@9.8A,10V

    包装清单:商品主体 * 1

    库存:

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