采购热线 400-661-9010
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2769pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：13937}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4190pF@50V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@54A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：289}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2769pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2769pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2769pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ST
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M10-30EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：55W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：12.2nC@5V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1249pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：7.8mΩ@15A，10V
漏源电压：30V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：UnitedSiC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：UF3C065040K3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：326W
阈值电压：6V@10mA
栅极电荷：51nC@15V
输入电容：1500pF@100V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：52mΩ@40A，12V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：289}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R039M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：211W
阈值电压：5.7V@7.5mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：41nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1393pF@400V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：51mΩ@25A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"13+"：13937}
销售单位：个
规格型号(MPN)：IPP16CN10LGXKSA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：100W
阈值电压：2.4V@61µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4190pF@50V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：15.7mΩ@54A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NVH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
销售单位：个
规格型号(MPN)：STD64N4F6AG
工作温度：-55℃~175℃
功率：60W
阈值电压：4.5V@250µA
栅极电荷：44nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2415pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：8.2mΩ@27A，10V
漏源电压：40V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"23+"：12150}
包装规格(MPQ)：30psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTH4L040N120M3S
工作温度：-55℃~175℃
功率：231W
阈值电压：4.4V@10mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：75nC@18V
包装方式：管件
输入电容：1700pF@800V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：54mΩ@20A，18V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK9M12-60EX
工作温度：-55℃~175℃
功率：79W
阈值电压：2.1V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：2769pF@25V
连续漏极电流：54A
类型：N沟道
导通电阻：11mΩ@15A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
