品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y15-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:45.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":14950,"19+":500,"20+":2740}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFZ48N
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:86.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT210N25NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@125V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@69A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"12+":500,"13+":19200,"14+":500,"21+":1950,"9999":30}
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT210N25NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@125V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@69A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK7M8R0-40EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:75W
阈值电压:4V@1mA
栅极电荷:23.8nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1567pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8mΩ@20A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA040N06NXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:3.3V@50µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@69A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):25psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IRF250P225
工作温度:-55℃~175℃
功率:313W
阈值电压:4V@270µA
栅极电荷:96nC@10V
包装方式:管件
输入电容:4897pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:22mΩ@41A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y15-100E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:45.8nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT210N25NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@125V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@69A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NTD5804NT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:71W
阈值电压:3.5V@250µA
栅极电荷:45nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2850pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:8.5mΩ@30A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):PSMN015-100YLX
工作温度:-55℃~175℃
功率:195W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86.3nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:6139pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14.7mΩ@20A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):50psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPP12CN10LGXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:125W
阈值电压:2.4V@83µA
栅极电荷:58nC@10V
包装方式:管件
输入电容:5600pF@50V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:12mΩ@69A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"18+":14950,"19+":500,"20+":2740}
销售单位:个
规格型号(MPN):AUIRFZ48N
工作温度:-55℃~175℃
功率:160W
阈值电压:4V@100µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:63nC@10V
包装方式:管件
输入电容:1900pF@25V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:14mΩ@40A,10V
漏源电压:55V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPT210N25NFDATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:375W
阈值电压:4V@267µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:86nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:7000pF@125V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:21mΩ@69A,10V
漏源电压:250V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
包装规格(MPQ):500psc
销售单位:个
规格型号(MPN):IPA040N06NXKSA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:36W
阈值电压:3.3V@50µA
栅极电荷:44nC@10V
包装方式:管件
输入电容:3375pF@30V
连续漏极电流:69A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@69A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:DIODES
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):DMPH4013SPSQ-13
工作温度:-55℃~175℃
功率:1.5W
阈值电压:3V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:87nC@20V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:4763pF@20V
连续漏极电流:69A
类型:P沟道
导通电阻:13mΩ@10A,10V
漏源电压:40V
包装清单:商品主体 * 1
库存: