采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：435，"22+"：900，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：432}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：435，"22+"：900，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"22+"：432}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"19+"：435，"22+"：900，"MI+"：450}
销售单位：个
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：285nC@10V
包装方式：管件
输入电容：8700pF@25V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：18mΩ@45A，10V
漏源电压：150V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：3120pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：87nC@10V
包装方式：管件
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：800psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP90140E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：管件
输入电容：4132pF@100V
连续漏极电流：90A
类型：N沟道
导通电阻：17mΩ@30A，10V
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：800psc
规格型号(MPN)：SUM90140E-GE3
栅极电荷：96nC@10V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4132pF@100V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：17mΩ@30A，10V
功率：375W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
生产批次：{"22+"：432}
规格型号(MPN)：FQA90N15-F109
栅极电荷：285nC@10V
导通电阻：18mΩ@45A，10V
类型：N沟道
输入电容：8700pF@25V
漏源电压：150V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
功率：375W
ECCN：EAR99
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SUP90142E-GE3
类型：N沟道
栅极电荷：87nC@10V
输入电容：31200pF@100V
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
导通电阻：15.2mΩ@30A，10V
阈值电压：4V@250µA
功率：375W
ECCN：EAR99
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
包装规格(MPQ)：50psc
规格型号(MPN)：SUP90140E-GE3
栅极电荷：96nC@10V
输入电容：4132pF@100V
类型：N沟道
连续漏极电流：90A
工作温度：-55℃~175℃
包装方式：管件
阈值电压：4V@250µA
导通电阻：17mΩ@30A，10V
功率：375W
漏源电压：200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
