采购热线 400-661-9010
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SMC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：S2M0025120D
工作温度：-55℃~175℃
功率：446W
阈值电压：4V@15mA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4402pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11894，"19+"：6400，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7620-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4373pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11894，"19+"：6400，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7620-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4373pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：ON SEMI
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"21+"：1701}
销售单位：个
规格型号(MPN)：NTP5864NG
工作温度：-55℃~175℃
功率：107W
阈值电压：4V@250µA
ECCN：EAR99
栅极电荷：31nC@10V
包装方式：管件
输入电容：1680pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：12.4mΩ@20A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：NEXPERIA
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
生产批次：{"18+"：11894，"19+"：6400，"MI+"：3200}
销售单位：个
规格型号(MPN)：BUK7620-100A，118
工作温度：-55℃~175℃
功率：200W
阈值电压：4V@1mA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：4373pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：20mΩ@25A，10V
漏源电压：100V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：SMC
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：25psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：S2M0025120D
工作温度：-55℃~175℃
功率：446W
阈值电压：4V@15mA
栅极电荷：130nC@20V
包装方式：管件
输入电容：4402pF@1000V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：34mΩ@50A，20V
漏源电压：1200V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
包装规格(MPQ)：50psc
销售单位：个
规格型号(MPN)：SUP10250E-GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：375W
阈值电压：4V@250µA
栅极电荷：88nC@10V
包装方式：管件
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
漏源电压：250V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：VISHAY
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：SQJQ960EL-T1_GE3
工作温度：-55℃~175℃
功率：71W
阈值电压：2.5V@250µA
ECCN：EAR99
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1950pF@25V
连续漏极电流：63A
类型：2N沟道（双）
导通电阻：9mΩ@10A，10V
漏源电压：60V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
品牌：INFINEON
分类：Mosfet场效应管
行业应用：工业,汽车
销售单位：个
规格型号(MPN)：IMBG65R030M1HXTMA1
工作温度：-55℃~175℃
功率：234W
阈值电压：5.7V@8.8mA
ECCN：EAR99
栅极电荷：49nC@18V
包装方式：卷带（TR）
输入电容：1643pF@400V
连续漏极电流：63A
类型：N沟道
导通电阻：42mΩ@29.5A，18V
漏源电压：650V
包装清单：商品主体 * 1
库存：
