品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"22+":1796}
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1514pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
漏源电压:100V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
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类型:N沟道
导通电阻:64mΩ@5.4A,10V
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包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
功率:83W
栅极电荷:39nC@10V
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漏源电压:60V
连续漏极电流:22A
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库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
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导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):FDD3690
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.8W€60W
阈值电压:4V@250µA
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包装清单:商品主体 * 1
库存: