品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9Y43-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:45W
阈值电压:2.1V@1mA
栅极电荷:8.2nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:880pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:41mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):NVMFS5C645NLWFAFT1G
工作温度:-55℃~175℃
功率:79W
阈值电压:2V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:34nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:2200pF@50V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:4mΩ@50A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:ON SEMI
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):SVD5867NLT4G
工作温度:-55℃~175℃
功率:3.3W€43W
阈值电压:2.5V@250µA
ECCN:EAR99
栅极电荷:15nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:675pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:39mΩ@11A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:INFINEON
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):IPD650P06NMATMA1
工作温度:-55℃~175℃
功率:83W
阈值电压:4V@1.04mA
栅极电荷:39nC@10V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1600pF@30V
连续漏极电流:22A
类型:P沟道
导通电阻:65mΩ@22A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
生产批次:{"23+":315000}
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9M42-60EX
工作温度:-55℃~175℃
功率:44W
阈值电压:2.1V@1mA
ECCN:EAR99
栅极电荷:8.3nC@5V
包装方式:卷带(TR)
输入电容:867pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:N沟道
导通电阻:37mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存:
品牌:NEXPERIA
分类:Mosfet场效应管
行业应用:工业,汽车
销售单位:个
规格型号(MPN):BUK9K35-60E,115
工作温度:-55℃~175℃
功率:38W
阈值电压:2.1V@1mA
包装方式:卷带(TR)
输入电容:1081pF@25V
连续漏极电流:22A
类型:2N沟道(双)
导通电阻:32mΩ@5A,10V
漏源电压:60V
包装清单:商品主体 * 1
库存: